高純氣體分析儀

高純氣體分析儀AnalyElf G60EPD.

概述：

高純氣體分析儀G60EPD是一款痕量氣體分析儀，專門應用與高純氣體及電子級工業(yè)氣體的純度分析氣相色譜儀，具有wu可比擬的檢測極限，可以測量zui低水平的雜質。

隨著經濟的快速發(fā)展，氣體純度分析越來越需要更嚴格的氣體質量控制。現(xiàn)在對于許多氣體分析的應用，希望雜質遠遠低于50 ppb。市場上的其他技術，如放電電離檢測器及其變體，比如PIHID、DID等，只能提供50 ppb范圍內的檢測限,這已經不能滿足市場對高純氣體純度的要求。憑借其超靈敏的增強型等離子體放電（Epd）檢測器、高質量的吹掃密封閥。（PLSV）組件、信號處理和wu與倫比的分析性能，我們的G60EPD高純氣體分析系統(tǒng)是氣體質量認證的交鑰匙工具

測量的雜質：

H2, O2, N2, CH4, CO, CO2, Ar, Ne，Kr，Xe、NHMC

特點：

1、高靈敏度Epd技術，低至 100 ppt的檢測極限。

2、一臺儀器適用于所有基質氣體；

3、采用高可靠的PLSV防泄漏閥技術；

4、搭載帶有吹掃的高精度電子氣路APC控制器。

5、經濟的載氣消耗解決方案；

6、可以選擇使用氬氣載氣，運行成本低；

7、多種機型供選擇：臺式G51、G60系列，便攜PG20系列，PG6系列。

主要規(guī)格：

1、測量范圍：10 ppm～100 ppm，0～250 ppb.

2、檢測極限：He載氣＜0.1 ppb, Ar做載氣時結合SCS濃縮儀（0.5 ppb/0.1ppb可選）。

3、基質：H2, O2, N2,  He, Air, CH4, CO, CO2，Ar、Kr、Ne、Xe

4、載體氣體：氦氣He，氬氣Ar.

其他應用：

SiH4 分析

超高純二氧化碳分析

超高純NH3分析

超高純空氣分析。

超高純CH4分析。

HC1分析。

C4F8分析。

增強型附件介紹：

樣品濃縮系統(tǒng)SCS

樣品濃縮系統(tǒng) ：wu與倫比的樣品完整性。

我們的樣品濃縮系統(tǒng)（SCS）既可以作為19英寸機架式設備的用于iMOv，也可以作為獨立的臺式設備用于miniMOv，它是圍繞我們的吹掃密封閥（PLSV）捕集和釋放閥（T&R）設計的，具有du特的可配置的4步流程，確保樣品的完整性。當與我們的電子制冷式冷阱和急速加熱器結合使用時，你將受益于（最）好的性能。

特點：

du特的可配置的4步流程：采樣、放空樣品基質、捕集阱富集和捕集阱釋放。

采用吹掃密封閥（PLSV）技術，具有wu可比擬的泄漏完整性。

捕集溫度低至-30℃，釋放溫度高至300℃。

彈道式釋放溫度。

分流樣品注入。

可提供惰性化流路。

典型應用：

揮發(fā)性有機物分析。

硫化物分析

濃縮永jiu氣體

任何其他需要濃縮的應用。

任何使用泄漏敏感的檢測器應用，如質譜儀。

解決方案亮點：

可配置的4步流程.

捕集器隔離步驟改善了色譜法和峰的清晰度

樣品基質排放步驟簡化并改善了色譜法

由于PLSV技術具有wu可比擬的泄漏完整性，在釋放階段沒有檢測器基線移動。

基質放空功能.

嵌入式樣品基質吹掃功能可以吹掃樣品基質。例如，氫氣基質可以被放空，而我們創(chuàng)新的捕集材料允許永jiu氣體濃度達到ppt的檢測極限。

無冷點

當與我們的iMOv或miniMOv平臺結合時，它不需要加熱的傳輸線。這一設計特點是改進色譜法的關鍵，因為它減少了冷點的風險。

采用PLSV閥技術

通常情況下，樣品濃縮用于痕量測量應用。為了防止污染，樣品的完整性是關鍵。更重要的是，閥門的泄漏會導致基線波動和噪音。我們的樣品濃縮儀的性能歸結于我們du特的吹掃密封閥（PLSV），當它與嵌入式4步流程相結合時，克服了所有這些問題，提供了wu與倫比的性能。

無泄漏。消除了內側/外側和交叉口的泄漏，防止色譜柱污染和基線偏移（來自于空氣泄漏）

改善基線噪音。

嵌入式4步流程，具有獨te的基質放空功能。

無死體積。內部流路不包含任何無用體積